- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBA5606
VBA5606
- 描述
- SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；13/-10A；RDS(ON)=6/12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1/-0.9~2.2/-2.5V；是一款双N型和P型沟道功率MOSFET，采用Trench工艺，适用于各种电路设计。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBA5606
- 商品编号
- C42412416
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V；60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A；10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V；12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 6.1W；5.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V；2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.3nC；13nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.321nF；1.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 245pF；214pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 745pF；792pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 电机驱动