- 引脚图
- 焊盘图
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VBA5213
VBA5213
- 描述
- SOP8；N+P—Channel沟道,±20V；8/-6.1A；RDS(ON)=13/24mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=±0.6~±1.5V；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用多种电子领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBA5213
- 商品编号
- C42412414
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V；20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.1A；8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@4.5V；13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W；1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V；1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.7nC；17nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF；850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF；45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF；260pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V；±12V |
商品特性
-无卤-沟槽功率MOSFET
应用领域
-负载开关-DC/DC转换器-N沟道MOSFET-P沟道MOSFET