- 引脚图
- 焊盘图
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VBA3102N
N沟道 100V 12A
- 描述
- SOP8；N—Channel沟道,100V；12A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；是一款双N型场效应管，采用Trench技术，适用于多种应用场景。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBA3102N
- 商品编号
- C42412410
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.97nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 62pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 695pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
-直流-直流初级侧开关-电信/服务器-工业领域