- 引脚图
- 焊盘图
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VBA1106N
VBA1106N
- 描述
- SOP8；N—Channel沟道,100V；6.8A；RDS(ON)=51mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2V；是一款单极性N型MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理、LED驱动、电动工具等领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBA1106N
- 商品编号
- C42412411
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 51mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21标准的无卤产品
- 沟槽功率MOSFET
- 经过100%单脉冲雪崩耐量测试
应用领域
-高频升压转换器-液晶电视LED背光源