- 引脚图
- 焊盘图
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VBA5101M
VBA5101M
- 描述
- SOP8；N+P—Channel沟道,±100V；4.6/-3.4A；RDS(ON)=80/150mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1.5~±2.5V；是一款双N+P沟道功率MOSFET，采用Trench技术，适用于多种电力电子应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBA5101M
- 商品编号
- C42412412
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V；100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.6A；3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V；150mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.2W；3.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V；2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.6nC；4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF；360pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF；20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF；130pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
-H桥/直流-交流逆变器-无刷直流电机