- 引脚图
- 焊盘图
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VBA1820
VBA1820
- 描述
- SOP8；N—Channel沟道,80V；9.5A；RDS(ON)=16.5mΩ@VGS=4.9V,VGS=20V；Vth=1.5~3V；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于需要低门源压降、低导通电阻和稳定性能的领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBA1820
- 商品编号
- C42412409
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 负载开关-DC/DC转换器-N沟道MOSFET-P沟道MOSFET