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HAO3415
P沟道 耐压:20V 电流:4.1A
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- 描述
- 这款P沟道MOSFET具备4.1A的最大排水电流（ID/A），耐压值（VDSS/V）为20V，其导通电阻（RDSON/mR）为34毫欧，并能在栅源电压（VGS/V）为10V时有效工作。该元件适用于设计需要紧凑型低功耗切换解决方案的场合，例如日常电子消费品内部的电源管理单元或是其他需要精确电流控制与高效能量转换的应用中，能够确保电路在承受一定负载的同时维持稳定的性能表现。
- 商品型号
- HAO3415
- 商品编号
- C42401171
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031313克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
商品概述
HSBSS84LT1G采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = -50V，ID = -0.13A
- 当VGS = -10V时，RDS(ON) < 5 Ω
- 当VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 6 Ω
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- DC-DC转换器
- SOT-23封装
- P沟道MOSFET