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HSi3948DV
耐压:30V 电流:4.5A
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- 描述
- 该场效应管（MOSFET）为N沟道增强型器件，具有4.5A的连续漏极电流能力和30V的漏源电压耐受度。其低导通电阻仅为29毫欧姆，有助于减少功率损耗并提高效率。栅源电压范围达到12V，适合多种电路设计需求。此款MOSFET凭借其优秀的电气特性和紧凑的设计，在消费电子、家用电器以及电源管理等众多领域中有着广泛的应用。
- 商品型号
- HSi3948DV
- 商品编号
- C42401169
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034343克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 233pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HAO3460采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V ID = 0.115A
- RDS(ON) < 3Ω @ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- N沟道MOSFET