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CMD060N12
N沟道 120V 100A
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- 描述
- 使用先进SGT技术提供出色的RDS(ON)，适用于高频开关和同步整流。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD060N12
- 商品编号
- C41410518
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3775克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.85nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.85nF |
商品特性
- VDS = -40V，ID = -80A
- 当VGS = -10V时，RDS(ON) < -10mΩ（典型值：6.5mΩ）
应用领域
- 负载/电源开关-接口开关-超小型便携式电子设备的电池管理-逻辑电平转换