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CMH65R190Q
N沟道 650V 20A
- 描述
- 该系列器件采用先进的超结技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。这款超结MOSFET满足行业对功率因数校正（PFC）、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源（SMPS）要求。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMH65R190Q
- 商品编号
- C41410536
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.846667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该系列器件采用先进的超结技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。这款超结MOSFET符合行业对功率因数校正(PFC)、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源(SMPS)要求。
商品特性
- 多层外延芯片技术
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正(PFC)
- 开关电源(SMPS)
- 不间断电源(UPS)