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CMP55N25
N沟道 250V 55A
- 描述
- 这款功率MOSFET采用Cmos先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源和有源功率因数校正
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP55N25
- 商品编号
- C41410542
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7445克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 77mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
2SK3019-ES是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品2SK3019-ES为无铅产品。
商品特性
- 60V，VGS = 10V时，RDS(ON) = 1.85Ω（典型值）
- VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 2.05Ω（典型值）
- 高密度单元设计，实现低RDS(ON)
- ESD保护 - 人体模型（HBM）：2kV
- 材料：无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式PC的电源管理
- DC/DC转换