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CMP55N25
N沟道 250V 55A
- 描述
- 这款功率MOSFET采用Cmos先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源和有源功率因数校正
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP55N25
- 商品编号
- C41410542
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7445克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 77mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款功率MOSFET采用Cmos先进的平面条形DMOST技术制造。这项先进技术经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效开关模式电源和有源功率因数校正。 250V、典型值69mΩ、55A的N沟道MOSFET
商品特性
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-开关应用-同步整流