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CMSC045N15实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CMSC045N15

N沟道 150V 21A

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描述
CMSC045N15采用先进的SGT技术,可实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于服务器同步整流及通用应用。这是一款150V、典型值33mΩ、21A的N沟道MOSFET
商品型号
CMSC045N15
商品编号
C41410548
商品封装
DFN-8(3.3x3.3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.0595克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)21A
导通电阻(RDS(on))50mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)45W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)19nC@10V
输入电容(Ciss)1.1nF
反向传输电容(Crss)35pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)430pF

商品概述

CMSA012N04L采用先进的SGT技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于服务器同步整流及通用应用。

商品特性

  • 低导通电阻
  • 100%雪崩测试
  • 驱动要求简单
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 高频开关和同步整流

数据手册PDF