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CMSC3007B
P沟道 -30V -40A
- 描述
- CMSC3007B将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。-30V、典型值12mΩ、-40A的P沟道MOSFET
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSC3007B
- 商品编号
- C41410549
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0595克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品概述
CMSA6248采用沟槽MOSFET技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)、Ciss和Coss组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 13mΩ
- 100%雪崩测试
- 小尺寸封装（5x6mm），便于紧凑设计
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换器
- 电机驱动
- 动力系统管理
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