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CMSC35N06B
N沟道 60V 12A
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- 描述
- CMSC35N06B采用先进的SGT技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)。适用于直流-直流转换器和通用应用。60V、典型值35mΩ、12A的N沟道MOSFET
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSC35N06B
- 商品编号
- C41410550
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
CMSC35N06B采用先进的SGT技术,可提供出色的RDS(ON)。适用于DC/DC转换器和通用应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 驱动要求简单
- 表面贴装封装
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换器
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