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CMP220N04
N沟道 40V 220A
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- 描述
- 220N04采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)。该器件适用于大电流开关应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP220N04
- 商品编号
- C41410541
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.747克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 220A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 83nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 800pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
60R290Q是一款功率MOSFET，采用CMOS先进的超结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过使用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件不仅能为设计师带来低电磁干扰（EMI）的优势，还具有低开关损耗的特点。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 适配器-PFC电源级-开关应用