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CMSA010N04
N沟道 40V 200A
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- 描述
- CMSA010N04采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于服务器同步整流及通用应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA010N04
- 商品编号
- C41410543
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1555克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.05mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 148nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
200N06采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电机控制与驱动
- 电池管理
- 不间断电源