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CMN2N15M
N沟道 150V 2A
- 描述
- CMN2N15M采用先进的沟槽技术和设计，可实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMN2N15M
- 商品编号
- C41410537
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 410pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
90N06采用先进的技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。 该器件非常适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 在VGS = 10 V时，最大导通电阻rDS(on) = 4.5 mΩ
- 快速开关
- 符合RoHS标准
应用领域
- 逆变器
- 电源