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CMP120P04
P沟道 -40V -120A
- 描述
- 120P04是一款P沟道功率MOSFET。它们采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)。因此，该器件适用于先进的高效开关应用
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP120P04
- 商品编号
- C41410539
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7255克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@340uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 900pF |
商品概述
65R600Q采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换器-功率开关应用