商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 480pF |
商品特性
- 60V、4A，VGS = 10 V 时，RDS(ON) = 85 mΩ
- VGS = 4.5 V 时，RDS(ON) = 100 mΩ
- 采用高密度单元设计，实现极低的 RDS(ON)
- 坚固可靠
- 产品无铅
- SOT - 223 封装
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 逻辑电平转换