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CMD35N04A
N沟道 40V 24A
- 描述
- 35N04A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于负载开关和PWM应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD35N04A
- 商品编号
- C41410523
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.373克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品概述
180P04A是一款P沟道功率MOSFET。它们采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)。因此，该器件适用于先进的高效开关应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换器-电机控制-LED控制器