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CMD60R290Q
N沟道 600V 13.8A
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- 描述
- 60R290Q是一款功率MOSFET，采用CMOS先进的超结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件不仅能为设计师带来低电磁干扰（EMI）的优势，还具有低开关损耗的特点
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD60R290Q
- 商品编号
- C41410525
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3795克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF@45V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@45V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
13N50B采用先进的高压MOSFET技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 开关稳压器-UPS(不间断电源)-DC-DC转换器