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CMD65R290Q
N沟道 650V 13.8A
- 描述
- 65R290Q是一款功率MOSFET，采用了CMOS先进的超结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过使用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件不仅能为设计师带来低电磁干扰（EMI）的优势，还具有低开关损耗的特点
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD65R290Q
- 商品编号
- C41410526
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.378克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF@45V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@45V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
450采用先进的沟槽技术和设计，可提供低导通电阻、高开关性能和出色的品质。这些器件非常适合用于开关电源（SMPS）、高强度气体放电灯（HID）和通用应用。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 动态dv/dt额定值
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 全雪崩额定
- 简单的驱动要求
应用领域
- LED电视
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC转换器