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CMH65N25
N沟道 250V 50A
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- 描述
- 这款功率MOSFET采用Cmos先进的平面条形DMOS技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源和有源功率因数校正
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMH65N25
- 商品编号
- C41410535
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.834444克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 69mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 280W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.3nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品概述
65R290 是一款采用 Cmos 先进超结技术的功率 MOSFET，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。该器件可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
商品特性
- 低导通电阻
- 100% 雪崩测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 充电器
- 电源
- 太阳能/可再生能源/UPS 微型逆变器系统