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CMF65R290实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CMF65R290

N沟道 650V 13.8A

描述
65R290是一款功率MOSFET,采用了Cmos先进的超结技术,可实现极低的导通电阻和栅极电荷。该器件可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
商品型号
CMF65R290
商品编号
C41410532
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.793克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)13.8A
导通电阻(RDS(on))280mΩ@10V
耗散功率(Pd)35W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)24nC@10V
输入电容(Ciss)670pF
反向传输电容(Crss)2.5pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)410pF

商品概述

65R290 是一款采用 Cmos 先进超结技术的功率 MOSFET,可实现极低的导通电阻和栅极电荷。该器件可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。

商品特性

  • 低导通电阻
  • 100% 雪崩测试
  • 符合 RoHS 标准

应用领域

  • 充电器
  • 电源
  • 太阳能/可再生能源/UPS 微型逆变器系统

数据手册PDF