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CMF10N80
N沟道 800V 10A
- 描述
- 这些功率MOSFET采用Cmos专有的平面条形DMOS技术制造。这些器件非常适合用于高效开关模式电源。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF10N80
- 商品编号
- C41410529
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.826克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品概述
CMD30NP06采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。 互补型MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。
商品特性
- 双N沟道和P沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源管理-负载开关-DC/DC转换器