商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
商品概述
这些功率MOSFET采用Cmos专有的平面条形DMOS技术制造。这些器件非常适合用于高效开关模式电源。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 改善了dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源
- 不间断电源