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CMD11N45
N沟道 450V 11A
- 描述
- 这些功率MOSFET采用Cmos专有的平面条形DMOS技术生产。这些器件非常适合用于高效开关模式电源和有源功率因数校正。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD11N45
- 商品编号
- C41410520
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.379克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 450V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 100pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些功率MOSFET采用Cmos专有的平面条纹DMOS技术制造。这些器件非常适合高效开关模式电源和有源功率因数校正。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 适配器
- 不间断电源
- 开关模式电源