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CMD079N10
N沟道 100V 80A
- 描述
- 079N10采用先进的SGT技术，可实现出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。这是一款100V、典型值6.5mΩ、80A的N沟道MOSFET
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD079N10
- 商品编号
- C41410519
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3725克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
107N20采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 低栅极电荷
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电机控制与驱动-电池管理-不间断电源