FDR8508P
2个P沟道 耐压:30V 电流:3A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDR8508P
- 商品编号
- C3291366
- 商品封装
- TSOP-8-3.30mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形 DMOS 技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关式 DC/DC 转换器、开关电源、不间断电源用 DC-AC 转换器以及电机控制。
商品特性
- 17.8A、250V，栅源电压 (VGS) = 10V 时，漏源导通电阻 (RDS(on)) = 0.27Ω
- 低栅极电荷（典型值 41nC）
- 低反向传输电容 (Crss)（典型值 68pF）
- 快速开关
- 100% 雪崩测试
- 改善的 dv/dt 能力
应用领域
- 高效开关式 DC/DC 转换器
- 开关电源
- 不间断电源用 DC-AC 转换器
- 电机控制