FDR8508P
2个P沟道 耐压:30V 电流:3A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDR8508P
- 商品编号
- C3291366
- 商品封装
- TSOP-8-3.30mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形 DMOS 技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关式 DC/DC 转换器、开关电源、不间断电源用 DC-AC 转换器以及电机控制。
商品特性
- -3.0 A,-30 V。当 VGS = -10 V 时,RDS(ON) = 0.052 Ω
- 当 VGS = - 4.5 V 时,RDS(ON) = 0.086 Ω
- 低栅极电荷(典型值为 8 nC)
- 高性能沟槽技术,可实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
- 占用空间小(比标准 SO - 8 小 38%);薄型封装(厚度为 1 mm);功率处理能力与 SO - 8 相似
应用领域
-负载开关-DC/DC 转换器-电机驱动