FQAF6N90
1个N沟道 耐压:900V 电流:4.5A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQAF6N90
- 商品编号
- C3291288
- 商品封装
- TO-3PF
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.206克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.88nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 185pF |
商品特性
- 国际标准封装
- 雪崩额定
- 扩展正向偏置安全工作区（FBSOA）
- 快速本征二极管
- 低导通状态漏源电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（QG）
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
-高端开关-推挽放大器-直流斩波器-自动测试设备-电流调节器-电池充电器应用