FDS7066ASN3
N沟道,电流:19A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS7066ASN3
- 商品编号
- C3289686
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.46nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 710pF |
商品概述
这些采用双SO - 8封装的HEXFET功率MOSFET专为汽车应用而设计，利用最先进的工艺技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这些符合汽车应用标准的HEXFET功率MOSFET还具备150°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值等特性。这些优势相结合，使该设计成为汽车应用和其他各种应用中极为高效且可靠的器件。 高效的SO - 8封装具有出色的热性能和双MOSFET芯片集成能力，非常适合各种功率应用。这种双表面贴装SO - 8封装可显著节省电路板空间，还提供卷带包装形式。
商品特性
- 先进的平面技术
- 低导通电阻
- 逻辑电平
- N沟道MOSFET
- 表面贴装
- 提供卷带包装
- 150°C工作温度
- 无铅、符合RoHS标准
- 符合汽车应用标准