FDS2170N7
200V, 3.0A, N沟道 MOSFET
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS2170N7
- 商品编号
- C3289675
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 128mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.292nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 72pF |
商品概述
这款双 N 沟道 2.5V 特定 MOSFET 采用先进的低压 PowerTrench 工艺。采用 FLMP SC75 封装，该器件的漏源导通电阻（RDS(ON)）和热性能针对电池电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 3.2 A，20 V
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V 时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 90 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 2.5 V 时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 130 mΩ
- 低栅极电荷
- 高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）
- FLMP SC75 封装：在行业标准封装尺寸下增强了热性能
应用领域
- 电池管理