STFI6N80K5
1个N沟道 耐压:800V 电流:4.5A
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STFI6N80K5
- 商品编号
- C3288510
- 商品封装
- I2PAKFP(TO-281)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 270pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 700fF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品特性
- 极低的品质因数（FOM）：导通电阻RDS(on) × 栅极电荷Qg
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源（SMPS）
- 不间断电源（UPS）
- 功率因数校正（PFC）