DMT10H015LCG-13
1个N沟道 耐压:100V 电流:34A 电流:9.4A
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT10H015LCG-13
- 商品编号
- C3282026
- 商品封装
- VDFN3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.871nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款新一代N沟道增强型MOSFET旨在最小化RDS(ON),同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
商品特性
- 0.6mm 薄型设计 —— 适用于薄型应用
- 4mm² 的 PCB 占位面积
- 低栅极阈值电压
- 完全无铅且符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
-笔记本电脑电池电源管理-负载开关-背光-电源管理功能-直流-直流转换器