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DMT6016LFDF-13实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMT6016LFDF-13

60V,8.9A,60V N沟道MOSFET

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品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMT6016LFDF-13
商品编号
C3282012
商品封装
UDFN2020-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.036克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)8.9A
导通电阻(RDS(on))16mΩ@10V
耗散功率(Pd)820mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)17nC@10V
输入电容(Ciss)864pF
反向传输电容(Crss)27.1pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

这款新一代MOSFET旨在最大限度降低导通电阻RDS(on),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试
  • 0.6mm超薄外形 – 非常适合薄型应用
  • 4平方毫米的PCB占位面积
  • 低导通电阻
  • 完全无铅且完全符合RoHS标准
  • 无卤素和锑。“绿色”器件

应用领域

-负载开关-适配器开关-笔记本电脑

数据手册PDF