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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.015nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 118pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 446pF |
商品概述
这款 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是先进 PowerTrench 工艺的耐用栅极版本。它针对具有广泛栅极驱动电压（2.5V - 12V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 在 VGS = -2.5V 时，RDS(ON) = 0.070Ω
- -3.8A、-20V，在 VGS = -4.5V 时，RDS(ON) = 0.043Ω
- 扩展的 VGSS 范围（±12V），适用于电池应用
- 低栅极电荷
- 高性能沟槽技术，实现极低的 RDS(ON)
- 薄型 TSSOP - 8 封装
应用领域
- 负载开关-电机驱动-DC/DC 转换-电源管理