FDW2511NZ
双N沟道,电流:7.1A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDW2511NZ
- 商品编号
- C3281962
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 175pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品概述
这款指定2.5V的N沟道MOSFET采用了飞兆半导体先进的PowerTrench工艺，具备坚固的栅极结构。它针对宽范围栅极驱动电压（2.5V - 12V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 在VGS = 2.5 V时，RDS(ON) = 38 mΩ
- 5.8 A、20 V，在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 28 mΩ
- 扩展的VGSS范围（±12V），适用于电池应用
- 静电放电（ESD）保护二极管
- 高性能沟槽技术，在VGS = 2.5 V时实现极低的RDS(ON)
- 薄型TSSOP - 8封装
应用领域
- 锂离子电池组