FDW258P
P沟道,电流:6A,耐压:12V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDW258P
- 商品编号
- C3281961
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 73nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.049nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.226nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻 RDS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- -9 A,-12 V,VGS = -4.5 V 时,RDS(ON) = 11 mΩ
- VGS = -2.5 V 时,RDS(ON) = 14 mΩ
- VGS = -1.8 V 时,RDS(ON) = 20 mΩ
- 适用于 1.8V 逻辑的 Rds 额定值
- 低栅极电荷
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的 RDS(ON)
- 薄型 TSSOP - 8 封装
应用领域
-负载开关-电机驱动-DC/DC 转换-电源管理