商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 47mΩ@4.3A,10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 763pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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起订量:1 个3000个/圆盘
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