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场效应管(MOSFET)
FDC5661N
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
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对比
FDC5661N
N沟道 耐压:60V 电流:4.3A
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDC5661N
商品编号
C3281958
商品封装
TSOT-23-6
包装方式
编带
商品毛重
0.038克(g)
数据手册
商品参数
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属性
参数值
商品目录
场效应管(MOSFET)
类型
N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
4.3A
功率(Pd)
1.6W
属性
参数值
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
47mΩ@4.3A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)
3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
19nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
763pF@25V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
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