FDS6688AS
N沟道,电流:14.5A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6688AS
- 商品编号
- C3279843
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.51nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FDS7766S旨在取代同步DC-DC电源中的单个SO-8 MOSFET和肖特基二极管。这款30V MOSFET旨在最大限度地提高功率转换效率，提供低漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。FDS7766S采用单片SyncFET技术，集成了肖特基二极管。
商品特性
-RDS(ON)最大值 = 7.3 mΩ,VGS = 4.5 V
- 14.5 A、30 V,RDS(ON) 最大值 = 6.0 mΩ,VGS = 10 V
- 集成SyncFET肖特基体二极管
- 低栅极电荷(典型值45 nC)
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)和快速开关
- 高功率和电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器
- 笔记本电脑低端应用