FDS3601
双N沟道,电流:1.3A,耐压:100V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS3601
- 商品编号
- C3279842
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 530mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 153pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5pF |
商品概述
这些N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。 与具有类似RDS(ON)规格的其他MOSFET相比,这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。因此,这种MOSFET易于驱动且驱动更安全(即使在非常高的频率下),并且能使DC/DC电源设计具有更高的整体效率。
商品特性
- RDS(ON) = 530 mΩ(VGS = 6 V 时)
- 1.3 A、100 V,RDS(ON) = 480 mΩ(VGS = 10 V 时)
- 快速开关速度
- 低栅极电荷(典型值3.7nC)
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
应用领域
-DC/DC转换器-负载开关-电机驱动