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场效应管(MOSFET)
FDS6679AZ
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
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对比
FDS6679AZ
P沟道 耐压:30V 电流:13A
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDS6679AZ
商品编号
C3279807
商品封装
SOIC-8
包装方式
袋装
商品毛重
0.215克(g)
商品参数
资料纠错
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属性
参数值
商品目录
场效应管(MOSFET)
类型
P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
13A
功率(Pd)
2.5W
属性
参数值
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
9.3mΩ@13A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)
3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
96nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
3.845nF@15V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
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