FDS7098N3
30V N沟道 MOSFET,电流:14A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS7098N3
- 商品编号
- C3279791
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.587nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 154pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 385pF |
商品概述
FDMS8660AS专为最大限度降低功率转换应用中的损耗而设计。结合了硅技术和封装技术的进步，在保持出色开关性能的同时，实现了最低的导通状态漏源电阻（rDS(on)）。该器件还具备高效单片肖特基体二极管的优势。
商品特性
- R D S (ON) = 12 m Ω(V G S = 4.5 V 时)
- 14 A、30 V,RDS(ON) = 9 m Ω(VGS = 10 V 时)
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
- 快速开关
- FLMP SO - 8封装:在行业标准封装尺寸下增强了热性能
应用领域
- DC/DC转换器
- 电源管理
- 负载开关