商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.15Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC | |
| 输入电容(Ciss) | 270pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款超高电压N沟道功率MOSFET采用基于创新专有垂直结构的MDmeshTM K5技术设计。其成果是显著降低导通电阻,并大幅降低栅极电荷,适用于对功率密度和效率要求极高的应用场景。
商品特性
- 业界最低的导通电阻与芯片面积乘积
- 业界最佳的品质因数(FoM)
- 超低栅极电荷
- 100%雪崩测试
- 齐纳二极管保护
应用领域
- 开关应用