STFI24N60M2
N沟道,电流:18A,耐压:650V
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STFI24N60M2
- 商品编号
- C3278219
- 商品封装
- I2PAKFP(TO-281)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.06nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术特别针对降低导通电阻、提供卓越的开关性能以及承受雪崩和换向模式下的高能脉冲而设计。这些器件非常适合低压应用，如高效开关式DC/DC转换器和直流电机控制。
商品特性
- 极低的栅极电荷
- 出色的输出电容(Coss)特性
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用
- LCC转换器
- 谐振转换器