STB80NF55L-08-1
N沟道,电流:80A,耐压:55V
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB80NF55L-08-1
- 商品编号
- C3278171
- 商品封装
- I2PAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
μPA2826T1S是一款专为便携式设备电源管理应用设计的N沟道MOS场效应晶体管。
商品特性
- 典型RDS(ON) = 0.0065 Ω
- 低阈值驱动
- 逻辑电平器件
应用领域
- 大电流开关应用