NE651R479A-T1-A
0.4 W GaAs HJ-FET,电流:50 mA,耐压:8 V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NE651R479A-T1-A
- 商品编号
- C3277299
- 商品封装
- SMD-4P
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 8V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 工作温度 | -25℃~+125℃ |
商品特性
- 砷化镓异质结场效应晶体管(GaAs HJ-FET)结构
- 高输出功率
- 高线性增益
- 高功率附加效率
应用领域
-移动通信-无线PC局域网系统
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