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NE651R479A-T1-A实物图
  • NE651R479A-T1-A商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NE651R479A-T1-A

0.4 W GaAs HJ-FET,电流:50 mA,耐压:8 V

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商品型号
NE651R479A-T1-A
商品编号
C3277299
商品封装
SMD-4P​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)8V
连续漏极电流(Id)1A
属性参数值
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))2V@5mA
工作温度-25℃~+125℃

商品特性

  • 低导通电阻(RDS(on))
  • 更高效率,延长电池使用寿命
  • 逻辑电平栅极驱动
  • 微型ChipFET表面贴装封装
  • 提供无铅封装

应用领域

  • 便携式和电池供电产品的电源管理,如移动电话、无绳电话和PCMCIA卡

数据手册PDF