MTB3N60E
N沟道,电流:3.0A,耐压:600V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MTB3N60E
- 商品编号
- C3276436
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 770pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品特性
-高温下规定雪崩能量能力-低栅极存储电荷,实现高效开关-内部源漏二极管设计用于替代外部齐纳瞬态抑制器 — 在雪崩模式下吸收高能量-源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当
应用领域
-电源-PWM 电机控制-其他感性负载