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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 950mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 252mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 260mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.25V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.65nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 81pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 13pF |
商品特性
- 低阈值电压
- 极快速开关
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电(ESD)保护 >2 kV HBM
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 低端负载开关
- 开关电路