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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPB60R600CP

N沟道,电流:6.1A,耐压:600V

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商品型号
IPB60R600CP
商品编号
C3276500
商品封装
TO-263-3​
包装方式
编带
商品毛重
1.859克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)6.1A
导通电阻(RDS(on))600mΩ@10V
耗散功率(Pd)60W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V@220uA
栅极电荷量(Qg)27nC@10V
输入电容(Ciss)550pF
反向传输电容(Crss)67pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)28pF

商品概述

采用TrenchMOS技术、塑料封装的逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管(FET)。本产品已根据相应的AEC标准进行设计和鉴定,适用于汽车关键应用。

商品特性

  • 符合AEC Q101标准
  • 集成保护二极管,静电耐受性强
  • 低导通电阻,传导损耗低

应用领域

  • 汽车及通用电源开关

数据手册PDF